В исследовании участвовали специалисты Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ», Санкт-Петербургского государственного университета и Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН. Кристаллы вырастили раствор-расплавным методом.

Профессор кафедры микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ», старший научный сотрудник лаборатории физики профилированных кристаллов ФТИ имени Иоффе РАН Камиль Гареев сообщил, что в полученных монокристаллах с высокой концентрацией железа обнаружили признаки магнитного упорядочения при комнатной температуре.

Для развития спинтроники нужны полупроводники, у которых можно контролировать электрические и магнитные свойства. Такие материалы могут применять для энергонезависимой и экономичной памяти. Оксид галлия ученые рассматривают как перспективную замену кремнию в силовой электронике.

Заведующий лабораторией физики профилированных кристаллов ФТИ имени Иоффе РАН Владимир Николаев заявил, что работа приблизила получение ферромагнитных свойств у оксида галлия. По его словам, в будущем материал может использоваться в приборах спинтроники для быстрой коммутации энергии в высоковольтных линиях и магнитного хранения данных на одном кристалле.

Источник: ТАСС